FCP650N80Z Fairchild Semiconductor МОП-транзистор 800V 10A NChn МОП-транзистор SuperFET II
Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: FCP650N80Z
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: FCP650N80Z
Id - непрерывный ток утечки
10 A
Pd - рассеивание мощности
162 W
Qg - заряд затвора
27 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
650 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вес изделия
1,800 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
11 ns
Время спада
3.4 ns
Высота
16.3 mm
Длина
10.67 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
SuperFET II
Конфигурация
1 N-Channel, ESD
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
7.8 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
FCP650N80Z
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
40 ns
Типичное время задержки при включении
17 ns
Торговая марка
Fairchild Semiconductor
Упаковка
Tube
Ширина
4.7 mm
MOSFET 800V 10A NChn MOSFET SuperFET II
Про виробника
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...