FCP650N80Z Fairchild Semiconductor МОП-транзистор 800V 10A NChn МОП-транзистор SuperFET II

Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: FCP650N80Z
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Артикул: FCP650N80Z

0


Будь-яка форма оплати
Знижки для розробників і виробництв
Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою
Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн
Не вдалося знайти? Відправте запит.


Id - непрерывный ток утечки 10 A
Pd - рассеивание мощности 162 W
Qg - заряд затвора 27 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 650 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вес изделия 1,800 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 11 ns
Время спада 3.4 ns
Высота 16.3 mm
Длина 10.67 mm
Канальный режим Enhancement
Количество в заводской упаковке 50
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperFET II
Конфигурация 1 N-Channel, ESD
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин. 7.8 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Серия FCP650N80Z
Технология Si
Тип корпуса TO-220-3
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 40 ns
Типичное время задержки при включении 17 ns
Торговая марка Fairchild Semiconductor
Упаковка Tube
Ширина 4.7 mm
MOSFET 800V 10A NChn MOSFET SuperFET II
Увага: HTML не підтримується! Використовуйте звичайний текст!

Про виробника

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...