FCPF190N60E_F152 Fairchild Semiconductor МОП-транзистор 650V, 190mOhm SuperFET II МОП-транзистор
Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: FCPF190N60E_F152
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: FCPF190N60E_F152
Id - непрерывный ток утечки
20.6 A
Pd - рассеивание мощности
39 W
Qg - заряд затвора
63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
190 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.5 V
Вес изделия
2,565 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
14 ns
Время спада
15 ns
Высота
16.3 mm
Длина
10.67 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
20 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
101 ns
Типичное время задержки при включении
23 ns
Торговая марка
Fairchild Semiconductor
Ширина
4.7 mm
MOSFET 650V, 190mOhm SuperFET II MOSFET
Про виробника
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...