FCPF190N65FL1 Fairchild Semiconductor МОП-транзистор SuperFET2 190 mohm 650V FRFET
Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: FCPF190N65FL1
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: FCPF190N65FL1
Id - непрерывный ток утечки
20.6 A
Pd - рассеивание мощности
39 W
Qg - заряд затвора
60 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
190 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5 V
Вес изделия
2,270 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
11 ns
Время спада
4.2 ns
Высота
16.07 mm
Длина
10.36 mm
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
SuperFET II FRFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
18 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
FCPF190N65FL1
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220FP-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
62 ns
Типичное время задержки при включении
25 ns
Торговая марка
Fairchild Semiconductor
Упаковка
Tube
Ширина
4.9 mm
MOSFET SuperFET2 190 mohm 650V FRFET
Про виробника
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...