FDZ3N513ZT Fairchild Semiconductor МОП-транзистор 30V Integrated NMOS and Shottky Diode
Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: FDZ3N513ZT
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: FDZ3N513ZT
Id - непрерывный ток утечки
1.1 A
Pd - рассеивание мощности
1 W
Qg - заряд затвора
1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
462 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
5.5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
0.7 V
Вес изделия
42 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single with Schottky Diode
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
0.5 S
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
FDZ3N513ZT
Технология
Si
Тип корпуса
WLCSP-4
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Fairchild Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET 30V Integrated NMOS and Shottky Diode
Про виробника
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...