RFD3055LESM9A Fairchild Semiconductor МОП-транзистор Power МОП-транзистор
Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Код товару: RFD3055LESM9A
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: RFD3055LESM9A
Id - непрерывный ток утечки
11 A
Pd - рассеивание мощности
38 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
107 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
16 V
Вес изделия
260,370 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
105 ns
Время спада
39 ns
Высота
2.39 mm
Длина
6.73 mm
Другие названия товара №
RFD3055LESM9A_NL
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
RFD3055LESM
Технология
Si
Тип
MOSFET
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
22 ns
Типичное время задержки при включении
8 ns
Торговая марка
Fairchild Semiconductor
Упаковка
Reel
Ширина
6.22 mm
MOSFET Power MOSFET
Про виробника
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Fairchild Semiconductor — американская компания, которая в 1959 году впервые в мире создала интегральную схему, пригодную для массового производства, и была одной из ключевых фирм Силиконовой долины в 1960-х годах.... Детально...