GS66502B-E01-MR GaN Systems МОП-транзистор 650V Enhancement Mode Transistor
Виробник: GAN SYSTEMS
Код товару: GS66502B-E01-MR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GS66502B-E01-MR
Id - непрерывный ток утечки
7.5 A
Qg - заряд затвора
1.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
560 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.6 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.51 mm
Длина
6.56 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
250
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET
Серия
GS66502
Технология
GaN
Тип корпуса
GaNPX-3
Торговая марка
GaN Systems
Упаковка
Reel
Ширина
5.01 mm
MOSFET 650V Enhancement Mode Transistor
Про виробника
GAN SYSTEMS
GaN Systems выпускает ряд мощных транзисторов с нитридом галлия для потребительского, промышленного, солнечного / ветрового / smartgrid и транспорта. Благодаря исключительно низкому сопротивлению и незначительному хранению заряда эти устройства обесп... Детально...