GS66506T-E01-MR GaN Systems МОП-транзистор 650V 22A E-Mode GaN
Виробник: GAN SYSTEMS
Код товару: GS66506T-E01-MR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GS66506T-E01-MR
Qg - заряд затвора
4.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
73 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.6 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.54 mm
Длина
5.55 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
250
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET
Серия
GS66506
Технология
GaN
Тип корпуса
GaNPX-4
Торговая марка
GaN Systems
Упаковка
Reel
Ширина
4.48 mm
MOSFET 650V 22A E-Mode GaN
Про виробника
GAN SYSTEMS
GaN Systems выпускает ряд мощных транзисторов с нитридом галлия для потребительского, промышленного, солнечного / ветрового / smartgrid и транспорта. Благодаря исключительно низкому сопротивлению и незначительному хранению заряда эти устройства обесп... Детально...