GS66508B-E01-MR GaN Systems МОП-транзистор 650V 30A E-Mode GaN
Виробник: GAN SYSTEMS
Код товару: GS66508B-E01-MR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GS66508B-E01-MR
Id - непрерывный ток утечки
30 A
Pd - рассеивание мощности
-
Qg - заряд затвора
5.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
50 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 10 V to + 7 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
3.7 ns
Время спада
5.2 ns
Высота
0.48 mm
Длина
8.38 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
250
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
GS66508
Технология
GaN
Тип корпуса
GaNPX-4
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
4.1 ns
Типичное время задержки при включении
8 ns
Торговая марка
GaN Systems
Упаковка
Reel
Ширина
6.98 mm
MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
Про виробника
GAN SYSTEMS
GaN Systems выпускает ряд мощных транзисторов с нитридом галлия для потребительского, промышленного, солнечного / ветрового / smartgrid и транспорта. Благодаря исключительно низкому сопротивлению и незначительному хранению заряда эти устройства обесп... Детально...