GS66508P-E05-MR GaN Systems МОП-транзистор 650V 30A E-Mode GaN
Виробник: GAN SYSTEMS
Код товару: GS66508P-E05-MR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GS66508P-E05-MR
Qg - заряд затвора
6.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.6 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.51 mm
Длина
10.05 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
250
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET
Серия
GS66508
Технология
GaN
Тип корпуса
GaNPX-4
Торговая марка
GaN Systems
Упаковка
Reel
Ширина
8.68 mm
MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
Про виробника
GAN SYSTEMS
GaN Systems выпускает ряд мощных транзисторов с нитридом галлия для потребительского, промышленного, солнечного / ветрового / smartgrid и транспорта. Благодаря исключительно низкому сопротивлению и незначительному хранению заряда эти устройства обесп... Детально...