GS66516B-E01-MR GaN Systems МОП-транзистор 650V, 60A E-Mode GaN
Виробник: GAN SYSTEMS
Код товару: GS66516B-E01-MR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GS66516B-E01-MR
Id - непрерывный ток утечки
60 A
Pd - рассеивание мощности
-
Qg - заряд затвора
12.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
- 10 V to + 7 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
12.4 ns
Время спада
22 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
250
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
GS66516
Технология
GaN
Тип корпуса
GaNPX-5
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
14.9 ns
Типичное время задержки при включении
4.6 ns
Торговая марка
GaN Systems
Упаковка
Reel
MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN
Про виробника
GAN SYSTEMS
GaN Systems выпускает ряд мощных транзисторов с нитридом галлия для потребительского, промышленного, солнечного / ветрового / smartgrid и транспорта. Благодаря исключительно низкому сопротивлению и незначительному хранению заряда эти устройства обесп... Детально...