GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor МОП-транзистор SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Код товару: GA04JT17-247
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GA04JT17-247
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Pd - рассеивание мощности
91 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
480 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1700 V
Вес изделия
6,390 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
28 ns
Время спада
50 ns
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
GA04
Технология
SiC
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
73 ns
Типичное время задержки при включении
30 ns
Торговая марка
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Tube
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
Про виробника
GENESIC SEMICONDUCTOR
GeneSiC является новатором и мировым лидером в области технологии Silicon Carbide, а также есть инвестором мощных кремниевых технологий. Глобальные ведущие производители промышленных и оборонных систем зависят от технологии GeneSiC, чтобы повысить пр... Детально...