GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor МОП-транзистор SiC High Temperature JT
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Код товару: GA05JT03-46
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GA05JT03-46
Id - непрерывный ток утечки
9 A
Pd - рассеивание мощности
20 W
Qg - заряд затвора
14.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
620 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
300 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
6.6 ns
Время спада
12.4 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 225 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
SiC
Тип корпуса
TO-46-3
Типичное время задержки выключения
12 ns
Типичное время задержки при включении
13 ns
Торговая марка
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Bulk
MOSFET SiC High Temperature JT
Про виробника
GENESIC SEMICONDUCTOR
GeneSiC является новатором и мировым лидером в области технологии Silicon Carbide, а также есть инвестором мощных кремниевых технологий. Глобальные ведущие производители промышленных и оборонных систем зависят от технологии GeneSiC, чтобы повысить пр... Детально...