GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor МОП-транзистор 1200V 15A Standard
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Код товару: GA05JT12-263
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GA05JT12-263
Id - непрерывный ток утечки
15 A
Pd - рассеивание мощности
106 W
Qg - заряд затвора
27 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
10 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
GA05JT12
Технология
SiC
Тип корпуса
TO-263-7
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET 1200V 15A Standard
Про виробника
GENESIC SEMICONDUCTOR
GeneSiC является новатором и мировым лидером в области технологии Silicon Carbide, а также есть инвестором мощных кремниевых технологий. Глобальные ведущие производители промышленных и оборонных систем зависят от технологии GeneSiC, чтобы повысить пр... Детально...