GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor МОП-транзистор SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Код товару: GA06JT12-247
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GA06JT12-247
Id - непрерывный ток утечки
6 A
Pd - рассеивание мощности
9 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
220 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Вес изделия
38 g
Вид монтажа
Through Hole
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
GA06JT12
Технология
SiC
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Tube
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
Про виробника
GENESIC SEMICONDUCTOR
GeneSiC является новатором и мировым лидером в области технологии Silicon Carbide, а также есть инвестором мощных кремниевых технологий. Глобальные ведущие производители промышленных и оборонных систем зависят от технологии GeneSiC, чтобы повысить пр... Детально...