GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor МОП-транзистор 1700V 160A SiC Junction Transistor

Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR

Код товару: GA100JT17-227

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: GA100JT17-227

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки 160 A

Pd - рассеивание мощности 535 W

Qg - заряд затвора 478 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 21 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток 1700 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Вес изделия 30 g

Вид монтажа Chassis Mount

Время нарастания 100 ns

Время спада 120 ns

Количество в заводской упаковке 10

Количество каналов 1 Channel

Конфигурация Single

Максимальная рабочая температура + 175 C

Минимальная рабочая температура - 55 C

Полярность транзистора N-Channel

Технология SiC

Тип корпуса SOT-227-4

Типичное время задержки выключения 160 ns

Типичное время задержки при включении 50 ns

Торговая марка GeneSiC Semiconductor

Упаковка Tube

MOSFET 1700V 160A SiC Junction Transistor

Про виробника

GENESIC SEMICONDUCTOR

GeneSiC является новатором и мировым лидером в области технологии Silicon Carbide, а также есть инвестором мощных кремниевых технологий. Глобальные ведущие производители промышленных и оборонных систем зависят от технологии GeneSiC, чтобы повысить пр... Детально...