GA100SICP12-227 GeneSiC Semiconductor МОП-транзистор 1200V 200A Standard
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Код товару: GA100SICP12-227
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GA100SICP12-227
Id - непрерывный ток утечки
160 A
Pd - рассеивание мощности
535 W
Qg - заряд затвора
478 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
10 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
38 g
Вид монтажа
Chassis Mount
Время нарастания
21 ns
Время спада
45 ns
Высота
12.19 mm
Длина
38.2 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
10
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
GA100
Технология
SiC
Тип
Transistor/Schottky Diode Co-Pack
Тип корпуса
SOT-227-4
Типичное время задержки выключения
33 ns
Типичное время задержки при включении
16 ns
Торговая марка
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Bulk
Ширина
25.4 mm
MOSFET 1200V 200A Standard
Про виробника
GENESIC SEMICONDUCTOR
GeneSiC является новатором и мировым лидером в области технологии Silicon Carbide, а также есть инвестором мощных кремниевых технологий. Глобальные ведущие производители промышленных и оборонных систем зависят от технологии GeneSiC, чтобы повысить пр... Детально...