GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor МОП-транзистор 1200V 25A Standard
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Код товару: GA10JT12-247
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GA10JT12-247
Id - непрерывный ток утечки
25 A
Pd - рассеивание мощности
170 W
Qg - заряд затвора
55 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
9 ns
Время спада
9 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
GA10JT12
Технология
SiC
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
22 ns
Типичное время задержки при включении
9 ns
Торговая марка
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Tube
MOSFET 1200V 25A Standard
Про виробника
GENESIC SEMICONDUCTOR
GeneSiC является новатором и мировым лидером в области технологии Silicon Carbide, а также есть инвестором мощных кремниевых технологий. Глобальные ведущие производители промышленных и оборонных систем зависят от технологии GeneSiC, чтобы повысить пр... Детально...