GA16JT17-247 GeneSiC Semiconductor МОП-транзистор SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 110mO- 16A

Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR

Код товару: GA16JT17-247

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: GA16JT17-247

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки 16 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 110 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток 1700 V

Вес изделия 6,390 g

Количество в заводской упаковке 30

Количество каналов 1 Channel

Полярность транзистора N-Channel

Серия GA16JT17

Технология SiC

Тип корпуса TO-247-3

Тип транзистора 1 N-Channel

Торговая марка GeneSiC Semiconductor

Упаковка Tube

MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 110mO- 16A

Про виробника

GENESIC SEMICONDUCTOR

GeneSiC является новатором и мировым лидером в области технологии Silicon Carbide, а также есть инвестором мощных кремниевых технологий. Глобальные ведущие производители промышленных и оборонных систем зависят от технологии GeneSiC, чтобы повысить пр... Детально...