GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor МОП-транзистор 1200V 45A Standard
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Код товару: GA20JT12-263
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GA20JT12-263
Id - непрерывный ток утечки
45 A
Pd - рассеивание мощности
282 W
Qg - заряд затвора
104 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
50 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
3.44 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
12 ns
Время спада
15 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
GA20JT12
Технология
SiC
Тип корпуса
TO-263-7
Типичное время задержки выключения
25 ns
Типичное время задержки при включении
15 ns
Торговая марка
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Reel
MOSFET 1200V 45A Standard
Про виробника
GENESIC SEMICONDUCTOR
GeneSiC является новатором и мировым лидером в области технологии Silicon Carbide, а также есть инвестором мощных кремниевых технологий. Глобальные ведущие производители промышленных и оборонных систем зависят от технологии GeneSiC, чтобы повысить пр... Детально...