GA20SICP12-263 GeneSiC Semiconductor МОП-транзистор 1200V 45A SIC CoPak
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Код товару: GA20SICP12-263
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: GA20SICP12-263
Id - непрерывный ток утечки
45 A
Pd - рассеивание мощности
282 W
Qg - заряд затвора
100 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
50 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
4.597 mm
Длина
10.668 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
GA20SICP12
Технология
SiC
Тип
Transistor/Schottky Diode Co-Pack
Тип корпуса
TO-263-7
Торговая марка
GeneSiC Semiconductor
Упаковка
Tube
Ширина
9.169 mm
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
Про виробника
GENESIC SEMICONDUCTOR
GeneSiC является новатором и мировым лидером в области технологии Silicon Carbide, а также есть инвестором мощных кремниевых технологий. Глобальные ведущие производители промышленных и оборонных систем зависят от технологии GeneSiC, чтобы повысить пр... Детально...