AUIRF1010EZS Infineon / IR МОП-транзистор AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
Виробник: INFINEON / IR
Код товару: AUIRF1010EZS
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: AUIRF1010EZS
Id - непрерывный ток утечки
84 A
Pd - рассеивание мощности
140 W
Qg - заряд затвора
58 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
8.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
90 ns
Время спада
54 ns
Высота
4.4 mm
Длина
10 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
38 ns
Типичное время задержки при включении
19 ns
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка
Tube
Ширина
9.25 mm
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
Про виробника
INFINEON / IR
Infineon Technologies AG (FWB: IFXGN, NYSE: IFX) — немецкая компания, крупный производитель микросхем для телекоммуникаций. Штаб-квартира — в Нойбиберге, юго-восточном пригороде Мюнхена.... Детально...