AUIRF2903ZSTRR Infineon / IR МОП-транзистор AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms
Виробник: INFINEON / IR
Код товару: AUIRF2903ZSTRR
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: AUIRF2903ZSTRR
Id - непрерывный ток утечки
235 A
Pd - рассеивание мощности
231 W
Qg - заряд затвора
160 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
100 ns
Время спада
37 ns
Высота
4.4 mm
Длина
10 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
800
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single Quint Source
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
120 S
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
48 ns
Типичное время задержки при включении
24 ns
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка
Reel
Ширина
9.25 mm
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms
Про виробника
INFINEON / IR
Infineon Technologies AG (FWB: IFXGN, NYSE: IFX) — немецкая компания, крупный производитель микросхем для телекоммуникаций. Штаб-квартира — в Нойбиберге, юго-восточном пригороде Мюнхена.... Детально...