IRF6620TRPBF Infineon / IR МОП-транзистор 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC
Виробник: INFINEON / IR
Код товару: IRF6620TRPBF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IRF6620TRPBF
Id - непрерывный ток утечки
27 A
Pd - рассеивание мощности
89 W
Qg - заряд затвора
28 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.45 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
80 ns
Время спада
6.6 ns
Высота
0.7 mm
Длина
6.35 mm
Количество в заводской упаковке
4800
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
110 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
DirectFET-MX
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка
Reel
Ширина
5.05 mm
MOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC
Про виробника
INFINEON / IR
Infineon Technologies AG (FWB: IFXGN, NYSE: IFX) — немецкая компания, крупный производитель микросхем для телекоммуникаций. Штаб-квартира — в Нойбиберге, юго-восточном пригороде Мюнхена.... Детально...