IRF7832PBF Infineon / IR МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC
Виробник: INFINEON / IR
Код товару: IRF7832PBF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IRF7832PBF
Id - непрерывный ток утечки
20 A
Pd - рассеивание мощности
2.5 W
Qg - заряд затвора
34 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
540 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
6.7 ns
Время спада
13 ns
Высота
1.75 mm
Длина
4.9 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3800
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single Quad Drain Triple Source
Максимальная рабочая температура
+ 155 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип
HEXFET Power MOSFET
Тип корпуса
SO-8
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
21 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка
Tube
Ширина
3.9 mm
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC
Про виробника
INFINEON / IR
Infineon Technologies AG (FWB: IFXGN, NYSE: IFX) — немецкая компания, крупный производитель микросхем для телекоммуникаций. Штаб-квартира — в Нойбиберге, юго-восточном пригороде Мюнхена.... Детально...