2N7002 H6327 Infineon Technologies МОП-транзистор N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Код товару: 2N7002 H6327
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Артикул: 2N7002 H6327

0


Будь-яка форма оплати
Знижки для розробників і виробництв
Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою
Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн
Не вдалося знайти? Відправте запит.


Id - непрерывный ток утечки 300 mA
Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
Qg - заряд затвора 600 pC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
Вес изделия 1,438 g
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 3.3 ns
Время спада 3.1 ns
Высота 1.1 mm
Длина 2.9 mm
Другие названия товара № 2N7002H6327XT 2N7002H6327XTSA2 SP000929182
Канальный режим Enhancement
Количество в заводской упаковке 24000
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация 1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин. 200 mS
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Серия 2N7002
Технология Si
Тип корпуса SOT-23-3
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 5.5 ns
Типичное время задержки при включении 3 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Ширина 1.3 mm
MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
Увага: HTML не підтримується! Використовуйте звичайний текст!

Про виробника

INFINEON TECHNOLOGIES

INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon Technologies AG — немецкая компания, крупный производитель интегральных схем (стабилизаторов напряжения, микросхем упраления освещением, контроллеров управления электродвигателями), модулей (IGBT, IPM, DC/DC и AC/DC преобразователей), тверд... Детально...