BSB008NE2LXXT Infineon Technologies МОП-транзистор N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Код товару: BSB008NE2LXXT
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: BSB008NE2LXXT
Мінімальна кіл-ть для замовлення цього товару: 5000.
Id - непрерывный ток утечки
180 A
Pd - рассеивание мощности
89 W
Qg - заряд затвора
343 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
600 uOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
25 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
47.2 ns
Время спада
32.4 ns
Высота
0.7 mm
Длина
6.35 mm
Другие названия товара №
BSB008NE2LXXUMA1 SP000880866
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
5000
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
OptiMOS
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
120 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
OptiMOS
Технология
Si
Тип корпуса
WDSON-2-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
75 ns
Типичное время задержки при включении
12.6 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Reel
Ширина
5.05 mm
MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
Про виробника
INFINEON TECHNOLOGIES
Infineon Technologies AG — немецкая компания, крупный производитель интегральных схем (стабилизаторов напряжения, микросхем упраления освещением, контроллеров управления электродвигателями), модулей (IGBT, IPM, DC/DC и AC/DC преобразователей), тверд... Детально...