BSB165N15NZ3 G Infineon Technologies МОП-транзистор N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Код товару: BSB165N15NZ3 G
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: BSB165N15NZ3 G
Id - непрерывный ток утечки
45 A
Pd - рассеивание мощности
78 W
Qg - заряд затвора
35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
13.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
150 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
7 ns
Высота
0.7 mm
Длина
6.35 mm
Другие названия товара №
BSB165N15NZ3GXT BSB165N15NZ3GXUMA1 SP000617000
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
5000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
24 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
WDSON-2-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
17 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Reel
Ширина
5.05 mm
MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
Про виробника
INFINEON TECHNOLOGIES
Infineon Technologies AG — немецкая компания, крупный производитель интегральных схем (стабилизаторов напряжения, микросхем упраления освещением, контроллеров управления электродвигателями), модулей (IGBT, IPM, DC/DC и AC/DC преобразователей), тверд... Детально...