IPD60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies МОП-транзистор N-Ch 600V 4.3A DPAK-2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Код товару: IPD60R1K0CEATMA1
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IPD60R1K0CEATMA1
Id - непрерывный ток утечки
4.3 A
Pd - рассеивание мощности
37 W
Qg - заряд затвора
13 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
8 ns
Время спада
13 ns
Высота
2.3 mm
Длина
6.5 mm
Другие названия товара №
IPD60R1K0CE SP001276032
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2500
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
60 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Reel
Ширина
6.22 mm
MOSFET N-Ch 600V 4.3A DPAK-2
Про виробника
INFINEON TECHNOLOGIES
Infineon Technologies AG — немецкая компания, крупный производитель интегральных схем (стабилизаторов напряжения, микросхем упраления освещением, контроллеров управления электродвигателями), модулей (IGBT, IPM, DC/DC и AC/DC преобразователей), тверд... Детально...