IPL65R165CFD Infineon Technologies МОП-транзистор HIGH POWER_LEGACY
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Код товару: IPL65R165CFD
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IPL65R165CFD
Id - непрерывный ток утечки
21.3 A
Pd - рассеивание мощности
195 W
Qg - заряд затвора
86 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
149 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
7.6 ns
Время спада
5.6 ns
Другие названия товара №
IPL65R165CFDAUMA1 SP000949254
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
CoolMOS CFD2
Технология
Si
Тип корпуса
VSON-4
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
52.8 ns
Типичное время задержки при включении
12.4 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Reel
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
Про виробника
INFINEON TECHNOLOGIES
Infineon Technologies AG — немецкая компания, крупный производитель интегральных схем (стабилизаторов напряжения, микросхем упраления освещением, контроллеров управления электродвигателями), модулей (IGBT, IPM, DC/DC и AC/DC преобразователей), тверд... Детально...