IRF6662TRPBF Infineon Technologies МОП-транзистор 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Код товару: IRF6662TRPBF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IRF6662TRPBF
Id - непрерывный ток утечки
8.3 A
Pd - рассеивание мощности
89 W
Qg - заряд затвора
22 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
17.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
7.5 ns
Время спада
5.9 ns
Высота
0.7 mm
Длина
6.35 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
4800
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DirectFET
Конфигурация
Single Quad Drain Dual Source
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
DirectFET-MZ
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
24 ns
Типичное время задержки при включении
11 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Reel
Ширина
5.05 mm
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ
Про виробника
INFINEON TECHNOLOGIES
Infineon Technologies AG — немецкая компания, крупный производитель интегральных схем (стабилизаторов напряжения, микросхем упраления освещением, контроллеров управления электродвигателями), модулей (IGBT, IPM, DC/DC и AC/DC преобразователей), тверд... Детально...