IRFP4227PBF Infineon Technologies МОП-транзистор MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Код товару: IRFP4227PBF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IRFP4227PBF
Id - непрерывный ток утечки
65 A
Pd - рассеивание мощности
330 W
Qg - заряд затвора
70 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
38 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
20 ns
Время спада
31 ns
Высота
20.7 mm
Длина
15.87 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
250
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
49 S
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 40 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
21 ns
Типичное время задержки при включении
33 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Ширина
5.31 mm
MOSFET MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg
Про виробника
INFINEON TECHNOLOGIES
Infineon Technologies AG — немецкая компания, крупный производитель интегральных схем (стабилизаторов напряжения, микросхем упраления освещением, контроллеров управления электродвигателями), модулей (IGBT, IPM, DC/DC и AC/DC преобразователей), тверд... Детально...