IXFA10N60P IXYS МОП-транзистор 600V 10A
Виробник: IXYS
Код товару: IXFA10N60P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFA10N60P
Id - непрерывный ток утечки
10 A
Pd - рассеивание мощности
200 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
740 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
27 ns
Время спада
21 ns
Высота
4.5 mm
Длина
9.9 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
11 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFA10N60P
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
65 ns
Типичное время задержки при включении
23 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
9.2 mm
MOSFET 600V 10A
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...