IXFA10N80P IXYS МОП-транзистор 10 Amps 800V 1.1 Rds
Виробник: IXYS
Код товару: IXFA10N80P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFA10N80P
Id - непрерывный ток утечки
10 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
22 ns
Время спада
22 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET, PolarHV
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFA10N80P
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
62 ns
Типичное время задержки при включении
21 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...