IXFA12N50P IXYS МОП-транзистор 500V 12A
Виробник: IXYS
Код товару: IXFA12N50P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFA12N50P
Id - непрерывный ток утечки
12 A
Pd - рассеивание мощности
200 W
Qg - заряд затвора
29 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
500 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5.5 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
27 ns
Время спада
20 ns
Высота
16 mm
Длина
10.66 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
Polar, HiPerFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
7.5 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFA12N50P
Технология
Si
Тип
Polar Power MOSFET HiPerFET
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
65 ns
Типичное время задержки при включении
22 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
4.83 mm
MOSFET 500V 12A
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...