IXFA14N60P3 IXYS МОП-транзистор Polar3 HiPerFETs МОП-транзистор w/Fast Diode
Виробник: IXYS
Код товару: IXFA14N60P3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFA14N60P3
Id - непрерывный ток утечки
14 A
Pd - рассеивание мощности
327 W
Qg - заряд затвора
25 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
540 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V to 5 V
Вес изделия
2,300 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
15 ns
Время спада
16 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
9 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFA14N60P
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
43 ns
Типичное время задержки при включении
21 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...