IXFA180N10T2 IXYS МОП-транзистор Trench T2 HiperFET Power МОП-транзистор
Виробник: IXYS
Код товару: IXFA180N10T2
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFA180N10T2
Id - непрерывный ток утечки
180 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Количество в заводской упаковке
50
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFA180N10
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...