IXFA20N85XHV IXYS МОП-транзистор 850V Ultra Junction X-Class Pwr МОП-транзистор
Виробник: IXYS
Код товару: IXFA20N85XHV
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFA20N85XHV
Id - непрерывный ток утечки
20 A
Pd - рассеивание мощности
540 W
Qg - заряд затвора
63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
330 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
850 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
28 ns
Время спада
20 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
6 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
44 ns
Типичное время задержки при включении
20 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...