IXFA22N65X2 IXYS МОП-транзистор МОП-транзистор 650V/22A Ultra Junction X2
Виробник: IXYS
Код товару: IXFA22N65X2
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFA22N65X2
Id - непрерывный ток утечки
22 A
Pd - рассеивание мощности
360 W
Qg - заряд затвора
38 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.7 V
Вес изделия
2 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
35 ns
Время спада
10 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
8 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-263-3
Типичное время задержки выключения
33 ns
Типичное время задержки при включении
38 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
MOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...