IXFA4N100P IXYS МОП-транзистор 4 Amps 1000V
Виробник: IXYS
Код товару: IXFA4N100P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFA4N100P
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Pd - рассеивание мощности
150 W
Qg - заряд затвора
26 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1000 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
6 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
36 ns
Время спада
50 ns
Высота
4.83 mm
Длина
9.65 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
Polar, HiPerFET
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
1.8 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFA4N100
Технология
Si
Тип
Polar HiPerFET Power MOSFET
Тип корпуса
TO-263-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
37 ns
Типичное время задержки при включении
24 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
10.41 mm
MOSFET 4 Amps 1000V
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...