IXFA5N100P IXYS МОП-транзистор Polar Power МОП-транзистор HiPerFET
Виробник: IXYS
Код товару: IXFA5N100P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFA5N100P
Id - непрерывный ток утечки
5 A
Pd - рассеивание мощности
250 W
Qg - заряд затвора
33.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1000 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
6 V
Вес изделия
2,300 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
13 ns
Время спада
37 ns
Высота
4.83 mm
Длина
9.65 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Коммерческое обозначение
Polar, HiPerFET
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
2.4 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFA5N100
Технология
Si
Тип
Polar Power MOSFET HiPerFET
Тип корпуса
TO-263-3
Типичное время задержки выключения
30 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
10.41 mm
MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...