IXFA6N120P IXYS МОП-транзистор POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
Виробник: IXYS
Код товару: IXFA6N120P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFA6N120P
Id - непрерывный ток утечки
6 A
Pd - рассеивание мощности
250 W
Qg - заряд затвора
92 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.75 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5 V
Вес изделия
2,300 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
11 ns
Время спада
14 ns
Высота
4.83 mm
Длина
9.65 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Коммерческое обозначение
Polar, HiPerFET
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
3 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFA6N120
Технология
Si
Тип
Polar HiPerFET Power MOSFET
Тип корпуса
TO-263-3
Типичное время задержки выключения
60 ns
Типичное время задержки при включении
24 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
10.41 mm
MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...