IXFA7N100P IXYS МОП-транзистор 7 Amps 1000V
Виробник: IXYS
Код товару: IXFA7N100P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFA7N100P
Id - непрерывный ток утечки
7 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Qg - заряд затвора
47 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.9 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1000 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
6 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
49 ns
Время спада
44 ns
Высота
4.83 mm
Длина
9.65 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Коммерческое обозначение
Polar, HiPerFET
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
3.6 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFA7N100
Технология
Si
Тип
Polar HiPerFET Power MOSFET
Тип корпуса
TO-263-3
Типичное время задержки выключения
42 ns
Типичное время задержки при включении
25 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
10.41 mm
MOSFET 7 Amps 1000V
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...