IXFB100N50P IXYS МОП-транзистор 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
Виробник: IXYS
Код товару: IXFB100N50P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFB100N50P
Id - непрерывный ток утечки
100 A
Pd - рассеивание мощности
1.25 kW
Qg - заряд затвора
240 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
49 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
29 ns
Время спада
26 ns
Высота
26.59 mm
Длина
20.29 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
25
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
PolarHV, HiPerFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
50 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFB100N50
Технология
Si
Тип
PolarHV HiPerFET Power MOSFET
Тип корпуса
PLUS-264-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
110 ns
Типичное время задержки при включении
36 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.31 mm
MOSFET 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...