IXFB170N30P IXYS МОП-транзистор Polar Power МОП-транзистор HiPerFET
Виробник: IXYS
Код товару: IXFB170N30P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFB170N30P
Id - непрерывный ток утечки
170 A
Pd - рассеивание мощности
1.25 kW
Qg - заряд затвора
258 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
18 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
300 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4.5 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
29 ns
Время спада
16 ns
Высота
26.59 mm
Длина
20.29 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
25
Коммерческое обозначение
Polar, HiPerFET
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
57 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFB170N30
Технология
Si
Тип
Polar Power MOSFET HiPerFET
Тип корпуса
PLUS-264-3
Типичное время задержки выключения
79 ns
Типичное время задержки при включении
41 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.31 mm
MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...