IXFB30N120P IXYS МОП-транзистор 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Виробник: IXYS
Код товару: IXFB30N120P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFB30N120P
Id - непрерывный ток утечки
30 A
Pd - рассеивание мощности
1.25 kW
Qg - заряд затвора
310 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
350 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
6.5 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
60 ns
Время спада
56 ns
Высота
26.59 mm
Длина
20.29 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
25
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
Polar, HiPerFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
13 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFB30N120P
Технология
Si
Тип
Polar HiPerFET Power MOSFET
Тип корпуса
PLUS-264-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
95 ns
Типичное время задержки при включении
57 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.31 mm
MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...