IXFB40N110P IXYS МОП-транзистор 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Виробник: IXYS
Код товару: IXFB40N110P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFB40N110P
Id - непрерывный ток утечки
40 A
Pd - рассеивание мощности
1.25 kW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
260 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
55 ns
Время спада
54 ns
Высота
26.59 mm
Длина
20.29 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
25
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFB40N110
Технология
Si
Тип корпуса
PLUS-264-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
110 ns
Типичное время задержки при включении
53 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.31 mm
MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...