IXFB40N110Q3 IXYS МОП-транзистор
Виробник: IXYS
Код товару: IXFB40N110Q3
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFB40N110Q3
Id - непрерывный ток утечки
40 A
Pd - рассеивание мощности
1.56 kW
Qg - заряд затвора
300 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
260 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1.1 kV
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.5 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
68 ns
Время спада
26 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
25
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
1 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
14 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
PLUS-264-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
74 ns
Типичное время задержки при включении
47 ns
Торговая марка
IXYS
MOSFET
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...