IXFB70N60Q2 IXYS МОП-транзистор 70 Amps 600V
Виробник: IXYS
Код товару: IXFB70N60Q2
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFB70N60Q2
Id - непрерывный ток утечки
70 A
Pd - рассеивание мощности
890 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вес изделия
1,600 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
25 ns
Время спада
12 ns
Высота
26.59 mm
Длина
20.29 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
25
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HyperFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFB70N60
Технология
Si
Тип корпуса
PLUS-264-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
60 ns
Типичное время задержки при включении
26 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.31 mm
MOSFET 70 Amps 600V
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...