IXFH100N25P IXYS МОП-транзистор 100 Amps 250V 0.027 Rds
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH100N25P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH100N25P
Id - непрерывный ток утечки
100 A
Pd - рассеивание мощности
600 W
Qg - заряд затвора
185 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
27 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
250 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
26 ns
Время спада
28 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
PolarHT, HiPerFET
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
40 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH100N25P
Технология
Si
Тип
PolarHT HiPerFET Power MOSFET
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
100 ns
Типичное время задержки при включении
25 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...