IXFH10N100P IXYS МОП-транзистор 10 Amps 1000V
Виробник: IXYS
Код товару: IXFH10N100P
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: IXFH10N100P
Id - непрерывный ток утечки
10 A
Pd - рассеивание мощности
380 W
Qg - заряд затвора
56 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1000 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
6.5 V
Вес изделия
6,500 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
45 ns
Время спада
75 ns
Высота
21.46 mm
Длина
16.26 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
Polar, HiPerFET
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
4.2 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
IXFH10N100P
Технология
Si
Тип
Polar HiPerFET Power MOSFET
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
47 ns
Типичное время задержки при включении
38 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Ширина
5.3 mm
MOSFET 10 Amps 1000V
Про виробника
IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) - американская компания, расположенная в Милпитасе, штат Калифорния. IXYS фокусируется на силовых, радиочастотно-силовых полупроводниках, цифровых и аналоговых интегральных схемах (ИС). В июле 2013 года IXYS объявила о... Детально...